沈阳拓荆科技有限公司（以下简称拓荆公司）自主研制的12英寸原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）设备FT-300T通过了客户的验收。
ALD设备是集成电路制备过程中关键的薄膜沉积设备，被视为先进半导体工艺技术发展的关键环节之一。拓荆公司基于已通过生产验证的高产能PECVD设备平台，成功研制了国内首台量产型12英寸ALD设备FT-300T，并迅速推向市场，可应用于超大规模集成电路，OLED及先进封装（TSV）领域，投入28/14nm先进生产线，用于沉积SiO2，SiNx等绝缘薄膜。该设备已成功进入试生产线考核验证，历时3个多月，通过了客户的考核验收，设备各项性能指标均满足要求，且达到或超过了国际同类产品的先进水平，这是我国在实现半导体高端装备国产化进程中的又一重大突破。
